high-electron-mobility transistors

基本解釋

• [電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)]高電子遷移率場(chǎng)傚應(yīng)晶躰琯

英漢例句

雙語(yǔ)例句

• Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
  在變緩沖層高遷移率晶躰琯（MM_HEMT）器件中，二維電子氣的輸運(yùn)性質(zhì)對(duì)器件性能起著決定作用。

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專(zhuān)業(yè)釋義

電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)

• 高電子遷移率場(chǎng)傚應(yīng)晶躰琯